Villeneuve-d’Ascq, France and Dresden, Germany – 1st February 2018 – Latest results from IEMN show more than 1400 V breakdown voltage for both vertical
法国阿斯克新城和德国德累斯顿 – 2018 年 2 月 1 日 – 来自电子、微电子及纳米技术研究院 (IEMN) 的最新结果显示，ALLOS 即将推出的适用于 1200 V 器件的硅基氮化镓外延片产品具有超过 1400 V 的纵向和横向击穿电压。 法国 IEMN 研究所的 Farid Medjdoub
法國阿斯克新城和德國德勒斯登– 2018 年 2 月 1 日 – 來自 IEMN 最新的結果顯示，ALLOS 即將推出用於 1200V 裝置的矽上氮化鎵磊晶圓產品，其崩潰電壓之縱向和橫向量測均超過 1400V。 由法國 IEMN 研究中心 Farid Medjdoub 博士所組成的研究團隊，運用了德國 ALLOS Semiconductors 所提供的兩種不同矽上氮化鎵磊晶圓來製作裝置並進行量測。其中之一是
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