March 30, 2020 - ALLOS Semiconductors

图 1：用于 microLED 应用的 200 mm GaN-on-Si LED外延片波长一致性的可重复性。

Bringing micro LEDs to the dimensions of the silicon industry with ALLOS’ 200 mm and 300 mm GaN-on-Si epiwafers

March 30, 2020

Dresden, Germany – 30th March 2020 – To address the wafer size mismatch and to tackle the yield challenge in micro LED production, ALLOS

利用 ALLOS 的 200 mm 和 300 mm 硅基氮化镓外延片，将 microLED 应用于硅基半导体产业

March 30, 2020

德国德累斯顿 – 2020 年 3 月 30 日 – 为了解决晶片尺寸不匹配的问题并应对 microLED 生产良率方面的挑战，ALLOS 应用其独特的应变工程技术，展示了 200 mm 硅基氮化镓 (GaN-on-Si) 外延片的出色一致性和可重复性。此外，公司还报道了其在 300 mm 外延片方面所取得的成功。良率对于 microLED 显示屏的成功起着至关重要的作用。它会直接影响生产的复杂性和成本。为了降低所需的生产成本，大尺寸晶圆十分重要。这对于

Bringing micro LEDs to the dimensions of the silicon industry with ALLOS’ 200 mm and 300 mm GaN-on-Si epiwafers

March 30, 2020

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