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德国德累斯顿– 2020年7月21日- ALLOS半导体公司与阿卜杜拉国王科技大学(KAUST)的Ohkawa教授及其团队合作，希望在大直径硅衬底上实现高能效氮化物红光LED。 在这次合作中，研究小组解决了一些基础性问题，比如大的晶格失配和量子限制斯塔克效应(QCSE)，这些问题阻碍了红光氮化物LED在实际工业中的应用。特别是在新兴的Micro LED显示领域，除了在氮化物系统中已经建立的蓝光和绿光LED外，还在大直径晶片上启用红光LED有强烈的需求，以降低制造复杂性和成本。 在这种情况下，Ohkawa教授和他的团队开发了一种基于氮化铟镓(InGaN)的红光LED堆栈，利用局部应变补偿和改进的MOCVD炉，其具有低正向电压小于2.5 V和高效率的特点。研究人员已经在蓝宝石和Ga2O3基片上制作了红光LED[1,2]。为了通过在晶圆级(特别是在大直径的晶圆上)上使用应变工程来获得更高性能的红光LED，该团队正在与ALLOS合作，将其工作扩展到硅基的LED。这也为大规模生产带来了巨大的优势，因为它可以应用高达300mm直径的晶圆，因此可以使用硅工艺生产线上的工艺。对于Micro LED显示屏——特别是用于增强现实(AR)应用的单片集成微显示屏——这是另一个重要的推动因素。 ALLOS独有的硅基氮化镓（GaN-on-Si）技术可以实现超高晶体质量，其穿透位错密度（TDD）约为2 x 108 cm-2，这是实现至少与蓝宝石上相同性能的红光LED的前提条件。此外，ALLOS精确的应变工程技（可以使蓝光和绿光LED以及200mm和300mm直径的平弓晶圆具有良好的发光均匀性）被用于优化红光LED的生长条件。 图1：ALLOS的在线过程控制实现了+/- 5 µm的弓度。 两支团队结合各自独特的技术，去解决材料应变并优化硅基氮化镓和红光LED的晶体生长条件。为此，KAUST团队将在ALLOS的硅基氮化镓（GaN-on-Si-）层上生长其红光LED堆栈，并在合作期间对其进行微调，以优化KAUST的红光LED堆栈的性能： 图2：在此次合作中，ALLOS采用了其成熟的方法，将不同的LED堆栈与高晶体品质和应变缓冲层技术进行融合。 ALLOS的联合创始人兼首席技术官（CTO）Nishikawa博士评论道:“从个人经验来看，我知道实现高效的红光LED是多么具有挑战性。从ALLOS的角度来说，我们可以提供我们的蓝光和绿光高质量硅基氮化镓（GaN-on-Si）微LED外延片，它的直径最大可达300mm。此外，我们还看到了我们运用应变工程方面的独特优势能为提高红光LED性能做出贡献的机会。” 谈到这个机会，Ohkawa教授说:“我们的团队已经开发出一种高效的红光LED堆栈，并在这个极具挑战性的领域中不断突破极限。在与ALLOS的谈话中，我们当然对可拓展到300mm大直径硅片很感兴趣，但在如此大的工艺窗口中如此精确地控制应变工程的能力，有望为红光LED的性能带来更多进步。” 关于KAUST的Ohkawa教授： Ohkawa教授致力于氮化半导体的开发超过20年。他和他来自KAUST的团队已经成功开发了一种特殊的应变补偿红光LED堆栈，此外还采用了他们自己的MOCVD炉设计方案，这使得通过利用一些特性[3]实现高质量和高铟含量的InGaN合金成为可能。这些技术为高性能氮化物红光LED在微型LED邻域的应用开辟了一条新的道路。现在他和他的团队希望利用ALLOS的硅基氮化镓（GaN-on-Si）技术在大直径的晶圆上展示他们的红光LED技术。 关于ALLOS Semiconductors： ALLOS团队回顾了17年来成功开发直径300mm及以下硅基氮化镓外延片技术的历程，如今正致力于将其先进的技术应用于实现革命性的基于微型LED的下一代显示屏。该公司可以通过IP授权和将工艺迁移到客户的MOCVD炉来提供技术服务。此外，ALLOS还在与合作伙伴合作，推进促进微型LED量产所需的技术。

德国，海尔布隆和德累斯顿- 2020年7月8日- 光伏电池III-V族外延片供应商AZUR SPACE和硅基氮化镓外延片专家ALLOS Semiconductors 共同宣布， AZUR SPACE已收购ALLOS Semiconductors 的电子业务。AZUR SPACE将利用收购的技术将其III-V 族外延片业务扩展到蓬勃发展的硅基氮化镓高功率电子和射频外延片市场。ALLOS Semiconductors 将继续开展其光电子业务，并聚焦于新兴Micro LED显示屏市场。 AZUR SPACE 在开展为高功率电子（HPE）供应III-V 族外延片业务之前, 进行了几年的谨慎准备和投资。除了供应硅基氮化镓外延片，公司还投身于HPE 市场的砷化镓外延片领域。据AZUR SPACE的首席执行官Juergen Heizmann先生所说，这种业务扩张是非常自然的：“我们是制造基于III-V族外延片的宇航级多结光伏面板的先进供应商，我们拥有多个全天候运行的MOVCD，年晶圆产能50万片。我们的技术和专业技能完全契合正在迅速崛起的III-V族 HPE外延片市场的需求。”