The Electronic Material Symposium held this week in Shiga, Japan organized a rump session titled ‘Does your research link with business?’ ALLOS’ CTO Dr.
ALLOS’ CEO Burkhard Slischka talks about ALLOS micro LED strategy at SSL 2017 conference in Beijing Recently, micro LED displays have attracted tremendous attention
Plainview, N.Y., November 1, 2017 – Veeco Instruments Inc. (Nasdaq: VECO) announced today the completion of a strategic initiative with ALLOS Semiconductors (ALLOS) to
纽约普莱恩维尤(Plainview)，2017年11月1日– Veeco 公司 (Nasdaq: VECO)今日宣布和ALLOS Semiconductors (ALLOS)达成了一项战略举措，展示了200mm硅基氮化镓晶圆用于蓝/绿光micro-LED的生产。维易科和ALLOS合作将其专有外延技术转移到Propel® 单晶圆MOCVD系统，从而在现有的硅生产线上实现生产micro-LED。 “使用Propel反应腔，我们就拥有了一项MOCVD 技术，这项技术能够实现高产量的GaN外延，满足在200毫米硅生产线上生产micro-LED器件的所有要求，” ALLOS Semiconductors的首席执行官Burkhard Slischka这样说。“不到一个月时间我们就已经在Propel上对我们的技术进行了验证，并且获得了无裂纹、无回熔的晶圆，翘曲度低于30微米，晶体质量高，厚度均匀性优异，波长均匀性小于1纳米。同Veeco携手，ALLOS期待着将该技术在micro-LED产业中更为推广。” Micro-LED显示技术由<30×30平方微米的红、绿和蓝(RGB)无机LED组成，这些LED被转化为显示屏背板，以形成亚像素。与有机LED(OLED)和液晶显示(LCD)相比，这些高效的LED直接发射功耗更低，却可以为移动显示器、电视和可穿戴式计算机提供优异的亮度和对比度。Micro-LED的制造要求优质、均匀的外延晶圆，以满足显示屏的产量和成本控制的要求。 “和竞争对手的MOCVD平台相比， Veeco的TurboDisc®技术提供的制程窗口更大，因此Propel能提一流的均匀性同时还能获得优良的膜品质，”维易科高级副总裁兼MOCVD运营总经理Peo Hansson博士这样说。“将Veeco领先的MOCVD专业技术和ALLOS的硅基氮化镓外延晶片技术相结合，使我们客户能够开发出低成本的micro-LED，以便于在新的市场中开拓新的应用。” 关于Veeco Veeco(NASDAQ: VECO)是一家创新半导体工艺设备的领先制造商。我们成熟的MOCVD、光刻、激光退火、离子束和单晶片蚀刻与清洁技术在制造固态照明和显示器LED以及先进半导体器件的制造中起着不可或缺的作用。凭借旨在最大限度地提高性能、产量和拥有成本的设备，维易科在所有这些服务的市场中拥有技术领先地位。要了解更多关于维易科创新设备和服务方面的信息，请访问www.veeco.com。 关于ALLOS Semiconductors
Plainview，N.Y.，2017年11月1日 – Veeco Instruments Inc.（Nasdaq：VECO）今天宣布與ALLOS Semiconductors（ALLOS）完成一項戰略措施，以展示200mm 矽基板用於氮化鎵藍/綠光Micro-LED的生產上。 Veeco與ALLOS合作將其專有的磊晶技術轉移到Propel® Single-Wafer MOCVD系統上，以便於現有的矽生產線上實現生產Micro-LED。 “使用Propel反應腔，我們就擁有了一項MOCVD技術來實現高產能的GaN磊晶，可滿足在200mm矽生產線上生產Micro-LED元件的所有要求， “ALLOS半導體公司執行長Burkhard Slischka表示。不到一個月的時間，我們就已經在Propel上建立了我們的技術，並且獲得了無裂紋、無回熔 (meltback-free)的晶圓，其翹曲度低於30 微米，晶體質量高，優異的厚度均勻性與小於1nm的波長均勻性。 和Veeco一起，ALLOS期待將這種技術更廣泛地應用於Micro-LED的產業中。“ Micro-LED顯示技術由< 30×30平方微米的紅色，綠色，藍色（RGB）無機LED所組成，再轉化為顯示器背板以形成子像素。與OLED和LCD相比，這些高效率LED直接發射且耗電量更低，卻可以為移動顯示器，電視機和穿戴式裝置提供卓越的亮度和對比度。Micro-LED的製造需要高質量、均勻的磊晶晶片來滿足顯示器的產量和成本控制的目標。 “與競爭對手的MOCVD平台相比，由於Veeco的TurboDisc® technology提供了更廣泛的製程範圍，因此Propel提供了一流的均勻性同時還能獲得優良的薄膜品質。”Veeco高級副總裁兼MOCVD營運總經理Peo Hansson博士表示。“將Veeco領先的MOCVD專業技術與ALLOS的GaN-on-Silicon的磊晶技術結合在一起，使我們的客戶能夠開發出低成本的Micro-LED，為新的市場中的開拓出新的應用。”
SEMI China invited ALLOS’ CEO Burkhard Slischka to talk about market entry strategies into GaN-on-Si for power electronics at this year’s CPSIC conference in
Thanks to Prof. Ryuji Katayama of Osaka University, ALLOS’ Atsushi Nishikawa is invited to give a lecture this week to undergraduate and graduate students
Strasbourg, France – 28th July 2017 – At this week’s ICNS scientific conference ALLOS’ co-founder and CTO Dr. Atsushi Nishikawa discussed three common believes
ALLOS Semiconductors’ co-founder and CMO Alexander Loesing was invited to talk about “Who will benefit from micro LEDs with new generation GaN-on-Si?” at last
